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中芯开始“破冰行动”！国产光刻机迎来重大突破，中国芯崛起有望

多年以来 ， 半导体技术一直都是我国比较薄弱的一项技术领域 ， 不管是半导体材料还是芯片制造或者是半导体的相关设备 ， 我国都是比较欠缺的 ， 原本华为在芯片上面的突破让我们看到了国产半导体崛起的希望 ， 但是美国的做法让我们更加意识到半导体技术缺失的严峻性 。
中芯开始“破冰行动”！国产光刻机迎来重大突破，中国芯崛起有望文章插图
祸福相依 ， 美国芯片禁令从某种程度上来看也不尽全是坏处 ， 他虽然伤害了华为的利益 ， 但是对于国内的半导体行业来说 ， 反倒是起到了一个警醒的作用 ， 正是因为美国的芯片禁令 ， 让我们国内的半导体企业们纷纷觉醒 ， 开始自研科技 。
中芯开始“破冰行动”！国产光刻机迎来重大突破，中国芯崛起有望文章插图
【中芯开始“破冰行动”！国产光刻机迎来重大突破，中国芯崛起有望】
在5G、智能电子设备、人工智能等高科技行业发展的背后 ， 半导体行业均发挥着重要的作用 。 目前所有的主流电子设备的核心都与半导体芯片息息相关 ， 将半导体芯片分成三个部分的话 ， 分别是芯片设计 ， 芯片制造 ， 芯片封测 。
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就目前我国的情况来看 ， 我国的芯片设计已经走在了全球顶端 ， 但是芯片制造的实力还是太弱 ， 因为国产光刻机的实力距离顶尖还有不小的差距 。 不过随着国内对于光刻机技术的重视不断加深 ， 也不断攻克了不少光刻机技术 ， 中芯开始“破冰行动”！国产光刻机迎来重大突破 ， 中国芯崛起有望 。
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近日 ， 根据媒体报道 ， 中芯国际“N+1”工艺已经经过了芯片流片和一次性完成了测试 ， 也就是说 ， 中芯国际“N+1”工艺已经达到了成熟的水平 ， 并且期间的所有都是国产技术 ， 不涉及美国技术 ， 就目前而言 ， 中芯国际“N+1”工艺已经是相当于台积电的7nm工艺 。
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虽说距离荷兰ASML生产的5nm制程光刻机还有差距 ， 但是这个差距已经是很小了 。 再加上现在芯片性能过剩的情况 ， 5nm芯片与7nm芯片并没有拉开很大的差距 ， 就目前的智能手机设备而言 ， 7nm已经完全够用 ， 5nm最多只是运行速度更快一些罢了 。


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