中芯国际宣布N + 1进程：宣称与台积电的7nm节点“几乎相同”
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中国晶圆代工厂中芯国际（SMIC）和LSI制造商Innosilicon宣布 ， 他们已经完成了使用前者的N + 1工艺技术制造的第一款国产芯片的数字设计 。 根据中芯国际的《梁梦颂》 ， 在效率方面 ， 该公司的N + 1工艺与台积电的7nm节点“几乎相同” 。 台积电的N7级节点是世界上最先进的节点 ， 仅次于其5nm EUV工艺 ， 这本身就是一个大胆的主张 。
但是 ， 仔细研究一下基础知识 ， 很明显 ， 尽管N + 1相当有效 ， 但就性能和密度而言 ， 还远远不够 。 与SMIC自己的14nm工艺相比 ， N + 1降低了57%的功耗 ， 逻辑芯片面积减少了63% 。 但是 ， 性能提升仅为20%左右 。 相比之下 ， TSMC的7nm节点与14nm节点相比 ， 性能提高了35% ， 功率效率提高了55% ， 密度提高了3.3倍 。
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另一个问题是 ， 中芯国际N + 1工艺的生产成本比台积电7nm工艺的生产成本高得多 ， 后者与产量直接相关 。 要再提高一两年的产量 。 因此 ， 我们正在研究2021年甚至2022年的量产 。
这主要是由于中芯国际被迫使用193nm扫描仪 ， 与台积电的7nm（ASML）扫描仪相比 ， 它需要更多的生产步骤 ， 掩模和原材料 。
中芯国际（SMIC）希望在其N + 2节点上引入EUV技术 ， 但美国最近的限制使其搁置 。 消息人士称 ， 中芯国际已经获得了EUV步进扫描系统 ， 但由于制裁 ， 该系统尚未安装 。
【中芯国际宣布N + 1进程：宣称与台积电的7nm节点“几乎相同”】有趣的是 ， 在实际开始批量生产时 ， 与其他高级流程相比 ， N + 1流程的效果如何 。 但是 ， 请记住 ， 届时台积电将开始量产其3nm和2nm工艺 。
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