宸恺科技|中心国际正式官宣!光刻工艺迎来新突破,高端芯片国产化不远了
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中芯国际的工艺突破
我国半导体产业发展 , 大部分的资源都是偏向于芯片设计 , 在芯片制造领域 , 反而未能达到高端7nm , 5nm级别 。
因为芯片制造的难度远远超过了芯片设计 , 如果说芯片设计是“纸上谈兵”的话 , 那么芯片制造就是把这些难度非常大的芯片设计图给制造出来 。 有时候拿不到好的光刻机设备 , 是很难攻克高端芯片了 。
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有了高端光刻机还不够 , 还要有技术 , 不然就等于让一个刚学会用键盘的人去开发程序 , 明摆着力不从心 。
而国内最大芯片制造商中芯国际已经在一步步向前迈进 , 继N+1工艺完成流片和测试后 , 这一次中芯国际正式宣布 , 14nm工艺的良率达到了业内量产水准 。
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11月11日 , 中芯国际发布了第三季度财报 , 数据显示第三季度营收10.8 亿美元 , 环比增长 15.3% , 同比增长 32.6% 。 就在此次的财报业绩会上 , 中芯国际表示14nm工艺自去年第三季度量产以来 , 良率已经达到了业内的量产水准 。
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今年中芯国际的研发任务基本完成了 , 包括客户对中芯国际的信心也在大大增加 。
此次中芯国际光刻工艺迎来新突破 , 良率达到业内的水准 , 是非常大的进步 。
中芯国际在取得出色营收成绩的同时 , 也将14nm量产工艺提升到业内水平 。 据悉 , 中芯国际是在去年第四季度才正式量产14nm 。
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虽然14nm和高端的5nm仍然有数代制程差距 , 但14nm已经能满足生活中很多需求了 。 而且工艺突破的意义也是非常重要 。
首先第一个 , 距离高端芯片更进一步 。 此前中芯国际等同于7nm的N+1工艺已经完成了流片和测试 , 全IP国产化 。 N+1是中芯国际第二代14nm工艺 , 比第一代14nm工艺提升了20%的性能 。
功耗降低了57% , 逻辑面积缩小了63% , SOC面积减少了55% , 所以N+1是等同于7nm芯片的工艺水准 。
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如今第一代已经能稳定量产 , 且达到业内水平 , 而第二代也完成流片和测试 , 可见距离高端芯片国产化不远了 。
第二个 , 极大满足生活需求 , 有望实现70%芯片自给率目标 。 高端芯片的市场范围主要是在电子消费产品上 , 这部分的需求大概占据国内一成 , 剩余的九成靠14nm都能满足 。
而且我国定下的70%芯片自给率也有望完成 , 到时候就不会过度依赖国外进口芯片了 , 因为我们可以自己造 。
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在芯片制造上 , 中芯国际取得了重大工艺进展 , 可能在未来5年内 , 就能突破高端7nm工艺 , 在未来10年 , 进军5nm 。
国产芯片的路还很长 , 虽然中芯国际今年的研发目标已经完成 , 但距离成为世界一流水平 , 显然还有一段路要走 。
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但这并不是问题 , 台积电能成为世界领先 , 也是用了33年世界 , 英特尔成为世界巨头 , 更是发展了52年 。 他们的例子告诉我们 , 只有经得起时间的考验 , 才能站到最后 。 中芯国际发展了20年 , 就已经在现有的技术范畴内 , 做到了业内水平 。
国产芯片的路是漫长的 , 但也是坚定不移的 , 相信走到最后 , 前途会更加光明 。
现在看高端芯片可能遥不可及 , 但那些世界一流的芯片制造企业 , 也是从低端转为高端 。 中芯国际是国内最大的芯片代工厂 , 为了扶持芯片半导体 , 最高给予十年免税的待遇 。
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在国内半导体产业的扶持下 , 中芯国际的工艺技术 , 进步还能更快 。 外界的不稳定因素可以共同面对 , 内部的技术缺陷可以一起攻克 。 把芯片这处的技术缺口给填补上 , 打造坚实的技术壁垒 。
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