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芯片|机构报告：中国自动驾驶芯片市场被国外垄断，技术困境待突破

_原题为 机构报告：中国自动驾驶芯片市场被国外垄断 ， 技术困境待突破
南都讯 采访人员冯群星 11月6日 ， 中国汽车技术研究中心有限公司、中国智能交通协会、社会科学文献出版社发布了《自动驾驶蓝皮书：中国自动驾驶产业发展报告（2020）》（以下简称“蓝皮书”） 。 蓝皮书指出 ， 中国的自动驾驶芯片存在国外厂商垄断市场、算法优化和迭代周期长、尚未建立完整生态系统、产业中游的芯片制造工艺薄弱等问题 ， 芯片技术困境亟待突破 。
据了解 ， 自动驾驶的核心芯片一般包括计算芯片、AI芯片和控制芯片 。 自动驾驶芯片除了考虑功耗、性能和面积 ， 还需考虑安全性、可靠性和长效性 。
自动驾驶场景下的更高要求 ， 使得芯片设计难度高、周期长、成本大 。 以长效性为例 ， 消费类芯片的寿命周期一般是两到三年 ， 自动驾驶芯片的工作要求则至少是10到15年 。 自动驾驶级别提高带来的算力增加 ， 也给芯片设计带来挑战 。
蓝皮书称 ， 自动驾驶本身极具商业应用前景 ， 但高级别自动驾驶的大规模落地仍需较长孵化期 。 目前自动驾驶芯片主流方案依然掌握在英特尔、英伟达、赛灵思等国外公司手中 。 国内的芯片公司如华为、芯驰科技和地平线等起步较晚 ， 目前还处于市场推广和产品初步落地阶段 。 如何在有限的市场中找到盈利模式 ， 实现芯片产品大规模量产 ， 对国内芯片公司来说仍是难题 。
芯片的制造流程可分为上游的芯片设计、中游的制造和下游的封测三个主要环节 。 蓝皮书指出 ， 中国芯片产业链较为完整 ， 但三个环节的技术水平参差不齐 ， 下游封测是唯一与世界领先水准持平的环节 ， 上游和中游技术落后较多 。
蓝皮书举例提到 ， 处在中国领先地位的制造商中芯科技在2019年实现了14nm工艺制程的量产化 ， 但其核心生产设备光刻机依赖于荷兰ASML公司等海外供应商 。 由于美国的制裁措施 ， ASML已于2019年11月与中芯科技停止7nm以下EUV光刻机的合作 。 上海微电子目前研发出了28nm浸没式光刻机 ， 代工厂商可以生产7nm制程的芯片 ， 但真正达到商业化量产程度还得一到两年的时间 。
蓝皮书称 ， 目前 ， 美系制造厂商以先进的制造技术和完善的产业链占领市场 ， 并以技术性贸易壁垒限制竞争对手的发展 。 国内芯片制造技术在设备、工艺、技术可靠性和稳定性等方面有所欠缺 ， 未能很好地满足一级厂商和主机厂的要求 。 未来我国应侧重研发ASIC芯片和AI芯片 ， 以芯片为载体提供解决方案、加大政策支持力度 ， 突破自动驾驶芯片技术困境 。
【芯片|机构报告：中国自动驾驶芯片市场被国外垄断，技术困境待突破】芯片|机构报告：中国自动驾驶芯片市场被国外垄断，技术困境待突破
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《自动驾驶蓝皮书：中国自动驾驶产业发展报告（2020）》 。


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