焉知汽车科技采埃孚丨面向未来的电驱动技术( 二 )
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图2 在耗电量为3.6mile/kW·h 的车辆测量的5min 充电量（1mile=1.6 km）
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图3 碳化硅（实线）和Si（虚线）开关时间 ， 电压和电流之间的灰色区域代表开关损耗
800V电压下的情况则不同：材料必须更厚 ， 因此Si-IGBT 的损耗要高得多 。 碳化硅的优势就体现出来了 ， 与Si-IGBT 相比 ， 使用碳化硅Mosfet 技术可以使续驶里程提升5%以上 。
碳化硅 Mosfets 的开关频率比Si-IGBT 快 。 开关损耗如图3所示 。 为了降低损耗 ， 未来的碳化硅技术也会应用于800V电压等级的电驱系统 。 快速开关频率使它可以应用于不同的工作频率 。 这为逆变器、电机和变速器之间的系统优化创造了机会 。
总结
采埃孚为乘用车、商用车和工业技术提供出行系统方案 ， 为实践下一代出行不遗余力 。 凭借全面的技术组合 ， 采埃孚致力于服务运输和出行领域 ， 为传统龙头企业、出行服务供应商及初创公司提供集成化的解决方案 。 采埃孚第一代纯电驱动系统已经投放市场 ， 未来采埃孚会为客户提供更强大的电驱动技术 。
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