快科技|三星FinFET技术侵权案宣告和解：Intel此前已付钱
FinFET（鳍式场效应晶体管）在当前的晶圆代工领域可谓是大放异彩的核心技术 ， 台积电甚至打算一路用到3nm时代 。
不过 ， 不为认知的是 ， 三星在过去4年的时间内 ， 深陷FinFET专利侵权案中 ， 直到最近才了结 。
官司的原告是韩国科学技术院（KAIST） ， 其在2001年在美国和韩国提交了FinFET技术相关专利 ， 由韩国科学技术院与首尔大学教授LeeJong-ho合作开发 。
2016年11月29日的时候 ， 韩国科学技术院在美国德克萨斯对三星、高通和格芯（GlobalFounderies）提起了FinFET专利侵权诉讼 。 据说 ， Intel是乖乖交过了相关“保护费” 。
2018年6月和2019年2月 ， KAIST先后两次起诉三星 ， 声称后者生产的7nm、8nm、10nm、11nm、14nm手机应用处理器均涉侵权之列 ， 要求4亿美元赔偿 。 今年2月 ， 法院判令三星赔偿2亿美元 。
【快科技|三星FinFET技术侵权案宣告和解：Intel此前已付钱】目前该案已和解 ， 和解细节不详 。
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