幸福一箩筐|附DDR4内存条推荐,超详细!搞懂内存条颗粒频率时序( 三 )


4.5时序我们在买内存的时候经常会看到有网游提问“这款内存时序怎么样?” , 也经常会在商品详情页看到关于内存时序的介绍 。 那么内存的时序到底是什么呢?
内存的时序其实就是内存的反应时间 , 当内存收到CPU发来的指令后 , 多长时间做出反应 , 这就是内存的时序 。 要想反应的越快 , 时序就要越短 。
我们以“CL16-18-18-38”这个时序为例 , 时序中的四个数字分别对应着“CL-tRCD-tRP-tRAS” 。
CL(CASLatency):列地址访问的延迟时间 , 是时序中最重要的参数
tRCD(RAStoCASDelay):内存行地址传输到列地址的延迟时间
tRP(RASPrechargeTime):内存行地址选通脉冲预充电时间
tRAS(RASActiveTime):行地址激活的时间
DDR:(CL3*2000)/400MHz=15ns
DDR2:(CL5*2000)/800MHz=12.5s
DDR3:(CL9*2000)/1600MHz=11.5ns
DDR4:(CL15*2000)/2133=14ns
即使内存的时序会随着频率的增加而增加 , 但最后内存的延时并没有太大的变化 。 频率相同时 , 时序越低 , 延迟也就越小 。 同样 , 时序相同时 , 频率越高 , 延迟也就越小 。
金士顿基本是海力士CJR颗粒 , 电压1.35V , 时序CL15 。


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