Intel|SuperFin晶体管技术加持 英特尔新一代10nm可媲美台积电5nm？( 二 )
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英特尔声称，通过SuperFin晶体管技术等创新的加强，10nm工艺可以实现节点内超过15%的性能提升！而根据台积电此前公布的数据显示，其5nm工艺相对于其之前的7nm工艺的性能提升也只有15% 。
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如果说，之前英特尔第一代10nm工艺的性能已经可以和台积电7nm工艺相媲美，那么新一代的基于SuperFin晶体管技术的10nm工艺在性能上，可能已经可以与台积电的5nm工艺相媲美 。而这也是为何英特尔将SuperFin晶体管技术，称之为其“有史以来最为强大的单节点内性能增强，带来的性能提升可与全节点转换相媲美” 。
据英特尔透露，10nm SuperFin技术将运用于代号为“ Tiger Lake”的英特尔下一代移动版酷睿处理器中 。Tiger Lake正在生产中，OEM的笔记本产品将在今年晚些时候的假日季上市 。
全新混合结合封装技术
作为英特尔六大技术支柱之一，封装技术也一直是英特尔的关键优势技术，特别是在摩尔定律推进越来越困难的当下，封装技术则成为了通过异构整合，继续推进芯片性能提升和成本下降的关键 。近去年，英特尔就推出了多项全新的先进芯片封装技术：包括Foveros、Co-EMIB、ODI、MDIO等 。基本原则都是使用最优工艺制作不同IP模块，然后借助不同的封装方式、高带宽低延迟的通信渠道，整合在一块芯片上，构成一个异构计算平台 。
在此次的2020年架构日活动上，英特尔又宣布推出了全新的“混合结合”(Hybrid Bonding)封装技术 。英特尔称，其可取代当今大多数封装技术中使用的“热压结合”(thermocompression bonding)封装技术 。
随着摩尔定律的继续推进，芯片的尺寸可能会变得越来越小，这样为了保证足够的带宽，必须要进一步缩小桥凸间距，提升单位面积下的桥凸数量 。通过堆叠裸片的高密度垂直互连是目前封装技术演进的一大方向，其主要是靠每平方毫米内所能容纳的桥凸数量（也即桥凸的间距大小）来进行界定，数量越大（间距越小），则数据传输的带宽更大，传输速度更快，延迟更底 。目前英特尔的高密度垂直互连技术的桥突间距可以做到50μm，即400个桥凸/mm2 。
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而英特尔此次推出的混合结合技术，能够加速实现10微米及以下的凸点间距(Pitch)，提供更高的互连密度、更小更简单的电路、更大的带宽、更低的电容、更低的功耗(每比特不到0.05皮焦耳) 。
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也就是说，采用新的混合结合技术，可以使得英特尔现有的凸点间距能缩小到原来的1/5，并且每平方毫米的凸点数量也能超过1万，增加足足25倍，这也意味着芯片间的互联带宽将得到极大的提升 。
据英特尔介绍，采用混合结合封装技术的测试芯片已在2020年第二季度流片，但是英特尔并未透露未来会在什么产品上率先商用 。
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