爱集微|技术升级！华虹半导体95纳米eNVM工艺平台可靠性大幅提升
集微网7月20日消息 ， 全球领先的特色工艺纯晶圆代工企业——华虹半导体有限公司（“华虹半导体”或“公司” ， 股份代号：1347.HK）宣布 ， 其95纳米SONOS（SiliconOxideNitrideOxideSilicon）嵌入式非易失性存储器（eNVM ， EmbeddedNon-VolatileMemory）工艺平台通过不断的创新升级 ， 技术优势进一步增强 ， 可靠性相应大幅提升 。
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华虹半导体95纳米SONOSeNVM工艺技术广泛应用于微控制器（MCU）、物联网（IoT）等领域 ， 具有稳定性好、可靠性高、功耗低等优点 。 相对上一代技术 ， 95纳米SONOSeNVM5V工艺实现了更小设计规则 ， 获得了同类产品芯片面积的缩小；逻辑部分芯片门密度较现有业界同类工艺提升超过40% ， 达到业界领先水平；所需光罩层数较少 ， 能够提供更具成本效益的解决方案 。 同时 ， 95纳米SONOSeNVM5V工艺具有更高集成度和领先的器件性能 ， 存储介质擦/写特性达到了2毫秒的先进水平；低功耗器件驱动能力提高20% ， 仅用5V器件可以覆盖1.7V至5.5V的宽电压应用 。
华虹半导体持续深耕 ， 95纳米SONOSeNVM采用全新的存储器结构以及优化操作电压 ， 大大提高了阈值电压的窗口 。 在相同测试条件下 ， SONOSIP的擦写能力达到1000万次 ， 可靠性提升20倍；在85℃条件下 ， 数据保持能力可长达30年 ， 处于国际领先水平 。 华虹半导体致力于持续优化工艺水平 ， 在提升数据保持能力条件下 ， 同时提升擦写次数 ， 更好地满足市场对超高可靠性产品的需求 。
此外 ， 随着高可靠性工艺平台及衍生工艺受到青睐 ， 公司基于SONOS工艺的eNVM更可以涵盖MTP（Multi-TimeProgrammableMemory）应用 。 通过简化设计、优化IP面积和减少测试时间等 ， 在IP面积、测试时间、使用功耗和擦写能力上比MTP性能更优 ， 更具竞争力 。 在此基础上增加配套的可选器件 ， 进一步满足电源管理和RF类产品的需求 。
【爱集微|技术升级！华虹半导体95纳米eNVM工艺平台可靠性大幅提升】华虹半导体执行副总裁孔蔚然博士表示：“嵌入式非易失性存储器技术向来是华虹半导体的‘王牌’之一 ， 一直保持着业界领先地位 ， 为广大MCU客户提供了灵活多样的技术平台 。 在‘8英寸+12英寸’战略定位的指引下 ， 公司在8英寸平台上 ， 通过缩小存储单元IP面积、减少光罩层数等方式来进一步强化嵌入式闪存技术工艺；同时 ， 我们发挥12英寸平台更小线宽特性 ， 打造高性能的嵌入式非易失性存储器工艺技术平台 ， 在巩固智能卡芯片制造领航者地位的同时 ， 满足物联网、MCU、汽车电子等高增长的市场需求 。 ”
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