芯片|中科院7月1日重大宣布，中国5nm光刻技术获得突破？真相太残酷！
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7月1日 ， 中国科学院网站发布消息称 ， 苏州纳米技术与纳米仿生研究所张子旸研究员与国家纳米中心刘前研究员合作 ， 已经研制成功一种新型5nm超高精度激光光刻加工方法 。 一时间 ， 国内都认为中国已经找到了一条独立于荷兰ASML公司的新技术路线 ， 打破了西方对5nm光刻机的封锁 。
中国在芯片设计方面已经达到世界先进水平 ， 海思设计的5nm芯片是麒麟1020 ， 被认为是能与高通和苹果一较高下的高端芯片 。 但是 ， 中国并没有高端芯片的加工能力 ， 中芯国际目前量产的最强工艺是14nm ， 而台积电是5nm 。 虽然只差了7个nm ， 两者在市场上命运完全不同 。 装备5nm芯片的手机都旗舰机型 ， 而14nm芯片甚至连低端手机都不会使用 。
【芯片|中科院7月1日重大宣布，中国5nm光刻技术获得突破？真相太残酷！】
据悉 ， 整个芯片产业链中 ， 最核心的三大半导体设备包括光刻机、蚀刻机和离子注入机 。 中国已经在离子注入机和蚀刻机方面取得了突破 ， 在蚀刻机方面甚至还遥遥领先国际 ， 离子注入机设备也大幅领先 。 然而 ， 国产光刻机一直是90nm制程工艺 ， 中芯国际的14nm工艺也使用的荷兰光刻机 。 上海微电确认在2021年可以交付28nm的沉浸式光刻产品 ， 这种产品被认为最高能生产7nm芯片 ， 但是仍然远水解不近渴 ， 而且7nm芯片仍然与法与5nm相比 。 如果用在手机上的话 ， 使用5nm工艺的高通芯片会让手机更有竞争力 ， 这意味着光刻机正在让部分中国高科技企业失去竞争力 。
要想在芯片制造工艺上迎头赶上 ， 最关键的设备就是光刻机 。 目前全球能生产高端光刻机的主要是欧美企业 ， 这类企业无不使用有美国技术 ， 全球最顶尖的EUV光刻厂—荷兰ASML公司同样要受制于美国 。 美国修改相关产品出口使用规则及相关法律后 ， 意味着所有高端芯片代工企业都无法代工麒麟1020 。
在这种局面下 ， 中科院的发布权威科技成果一时间就成了救命稻草 ， 很多人认为中国在5nm光刻机上已经打破了外国封锁 。 据报道 ， 中国研制成功的5nm高精度激光光刻技术完全不同于荷兰的EUV极紫光光刻技术 ， 是一种叫做新型三层堆叠薄膜结构双激光束交叠技术 。 这的确是中国在芯片领域的一个重大突破 ， 双激光束交叠技术也现实了最小5nm的特征线宽进步 ， 但是这与国产5nm芯片即将量产根本搭不上边 。
最新的情况是 ， 中科院已经删除了这条消息 ， 证明这项技术距离研制出5nm光刻机仍有很长的路要走 ， 只能说说这项技术仍然处于实验室阶段 。 也就是说 ， 中国想在短时间内摆脱光刻机的封锁还不太现实 。
实际上 ， 5纳米光刻技术早已经存在几年 ， 难的不是理论设计 ， 而是如何在商业层面实现大批量生产 ， 确保较高的成品率 。 荷兰ASML垄断全球高端光刻机市场已经几十年了 ， 不是轻易就能打破这个局面的 。 中科院这项成功就算顺利 ， 能在商业上成功应用估计还得2-3年时间 ， 到时候荷兰ASML估计又把加工精度提高到3nm了 。 所以 ， 这项科技竞争仍然是任重而道远 ， 相信中国科技企业不会令国人失望。
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