asml|中国芯再传捷报，5nm光刻技术获得重大突破，比肩ASML指日可待
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随着时代的不断变化和发展 ， 如今全球各国之间的竞争不再仅局限于军事和经济 ， 更多的则是科技层面的较量 ， 很显而易见 ， 美国之所以在二战后一举成为超级大国 ， 并在国际享有至高地位 ， 不正是因为在科技层面的发展水平处于领先？所以科技强国的道理也绝非空穴来风 。
当然 ， 在国家和各行各业的重视下 ， 当前我国在互联网和通信领域基本实现了弯道超车 ， 但是芯片产业却始终依赖于外国进口 ， 尤其是在华为事件出现后 ， 更多对我国庞大电子产业结构敲响警钟 ， 芯片实现国产化迫在眉睫 。 在考虑到当前芯片的生产包括设计和制造这两大环节 ， 进行细分后基本可以确认制约我国芯片产业发展的正是制造 。
当前 ， 包括华为海思、紫光展锐等中国科技企业基本实现了芯片架构自主设计 ， 但关键的制造领域还需要建立在台积电出色的工艺之上 。 即便在国内也有着替代方案—中芯国际 ， 但要知道中芯国际14nm制程工艺基本无法与台积电相媲美 ， 而造成这种结果的正是因为光刻机的缺乏 。
目前全球光刻机市场基本都是由荷兰ASML公司为主导 ， 由于美国的多次干涉以及《瓦森纳协议》的存在 ， 使得荷兰ASML公司高端光刻机基本不对华出口 。 即便在去年 ， ASML公司罕见妥协承诺将向中芯国际交付7nm高端EUV ， 但是在美国的阻扰下 ， ASML光刻机依旧迟迟没有交付 。
所以在尝试了卡脖子和断供之后 ， ASML和美国的种种行为也在很大程度上对中国芯片实现独立自主敲响了警钟 ， 在国家和各行各业的重视下 ， 中国芯再传捷报 ， 5nm光刻技术获得重大突破 ， 比肩ASML指日可待 。 根据媒体在近日的报道 ， 中国权威机构中科院苏州研究所已经研发成功了新型5nm高精度的激光光刻技术 ， 标志着我国的5nm光刻技术取得了重大进展 。
值得一提的是 ， 据悉 ， 负责研发这项纳米激光光刻技术的张子旸团队已经开发了一种新型的三层堆叠薄膜结构 ， 再通过双激光束交叠 ， 对能量密度及其波长进行精确控制 ， 在线宽上面能够将宽度精确到5nm 。 由于目前荷兰ASML光刻技术是基于EUV极紫外光刻 ， 与ASML完全不同 ， 所以一旦中国在这个技术层面上实现突破 ， 比肩ASML公司指日可待 。
【asml|中国芯再传捷报，5nm光刻技术获得重大突破，比肩ASML指日可待】虽然从现阶段来看 ， 中国半导体产业结构依旧无法摆脱对ASML光刻机的依赖 ， 但是新型5nm高精度激光光刻技术的研发的成功 ， 将有望打破ASML在光刻技术领域的技术封锁 ， 减少中国半导体产业对ASML公司的依赖 ， 实现半导体自主研发 。
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