产业气象站|如果靠增大芯片面积提升性能可行吗？，国产光刻机做不了7nm芯片
目前国产能够实际量产的光刻机仍然停留在90nm级的水平 ， 有些人说 ， 既然国产光刻机在精度上远远不及ASML的EUV光刻机精度那么高 ， 那么完全可以通过增大芯片面积来提升性能 ， 从而在性能表现上不至于被国外的先进芯片拉开太远 ， 然而这种思路对于芯片制造而言 ， 其实是非常不理性的 ， 也是不科学的 。
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就拿华为的麒麟990作为例子 ， 目前的麒麟9905G芯片采用台积电7nmeuv工艺制造 ， 用的光刻机自然也是来自ASML的EUV光刻机 ， 如果没有使用7nmeuv工艺来提升晶体管密度的话 ， 那么麒麟990可能就达不到目前应有的性能 ， 也无法做到集成5G基带 ， 这样的麒麟990显然在市场竞争中就没有那么强的竞争力 ， 相应的产品实力也会下降 。
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【产业气象站|如果靠增大芯片面积提升性能可行吗？，国产光刻机做不了7nm芯片】如果用14nm工艺来制造麒麟990 ， 并且不惜芯片面积为代价的话 ， 理论上当然也是可以做出来 ， 但是这样的芯片面积就可能翻番 ， 然而制造芯片用的晶圆基本都是300毫米晶圆 ， 所以说这样以来 ， 麒麟990的成本就会大幅提升 ， 而且一旦晶圆上的瑕疵增多 ， 那么麒麟990的芯片产能也会受到影响 ， 从而直接导致降低华为手机的供应 。
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所以说 ， 无论是华为 ， 还是高通和联发科 ， 大家都在追求极限的半导体工艺 ， 目的就是为了尽可能让芯片面积较小的情况下 ， 使性能和功能特性最大化 ， 从而提升竞争力 。 而且 ， 目前主要的消费级市场以移动领域为主 ， 所以即使芯片厂商必须要靠先进工艺来把芯片的面积和能耗控制住 ， 如果是通过老一代光刻机和制程来做目前的主流级芯片完全行不通 ， 而到目前也几乎没有敢这么做的 。
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