快科技|GAAFET,三星取消中间工艺4nm:5nm后直接上马3nm
GF(格芯)退出7nm研发后 , 金字塔尖的先进制程工艺争夺主要围绕台积电、Intel、三星开展 。
最新消息称 , 三星已经重修了工艺路线图 , 取消了此前用于过渡的4nm , 在5nm为FinFET(鳍式场效应晶体管)后 , 直接上马3nmGAAFET(环绕栅极晶体管) 。
三星的4nm原定于2021年量产 , 可其真实身份无非5nm改良 。 对于三星取消的原因 , 一方面是3nm推进顺利 , 另一方面则是市场竞争需要 , 如果能抢在台积电之前搞定技术难度更高的3nmGAAFET , 无疑将为自己争得可观的机会 。
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三星如今的掌门人李在镕非常看重芯片代工业务 , 这一切或也得到了他的授意 。
此前 , 三星曾透露 , 3nm芯片相较于7nmFinFET , 可以减少50%的能耗 , 增加30%的性能 。
至于台积电的3nm , 据说第一代还是FinFET , 总投资高达500亿美元 , 风险试产也推迟到了今年10月 。
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