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爱集微APP|5nm计算光刻国产化、智能语音芯片研发，安徽2020年揭榜任务发布


集微网消息 ， 近日 ， 安徽印发 《重点领域补短板产品和关键技术攻关任务揭榜工作方案》（以下简称《工作方案》） 。

爱集微APP|5nm计算光刻国产化、智能语音芯片研发，安徽2020年揭榜任务发布
本文插图

《工作方案》明确 ， 聚焦安徽新一代电子信息、智能装备、新材料等重点领域 ， 征集遴选一批补短板产品和关键核心技术 ， 组织具备较强创新能力的企业揭榜攻关 ， 通过2-3年时间 ， 重点突破一批制约产业发展的关键技术 ， 培育一批优势产品 ， 做强一批优势企业 ， 不断提高制造业自主可控水平 ， 促进制造业高质量发展 。
2020年 ， 安徽以制造业重大发展需求为目标 ， 以突破产业关键技术短板为导向 ， 着眼有基础可产业化、突出产业带动性 ， 在10个重点领域、50个重点方向中确定104项揭榜任务 。
其中包括多项集成电路揭榜任务 。
射频氮化镓单晶衬底：面向高端射频领域 ， 如军用相控雷达、5G通信基站、卫星通讯等 ， 开展基于自支撑技术的高质量、大尺寸、半绝缘型的氮化镓衬底生长及物性调控的研发与量产 。
低功耗高速率LPDDR5 DRAM产品开发：面向中高端移动、平板及消费类产品DRAM存储芯片自主可控需求 ， 研发先进低功耗高速率LPDDR5 产品并实现产业化 ， 依托DRAM 17nm及以下工艺 ， 攻关高速接口技术、Bank Group架构设计技术、低功耗电源（电压）技术、片内纠错编码（On-Die ECC）技术 ， 完成低功耗高速率LPDDR5 DRAM产品开发 。
DRAM存储芯片专用封装工艺铝重新布线层(Al RDL)工艺开发：围绕先进DRAM产品工艺开发需求 ， 开展铝重新布线层工艺开发并实现产业化应用 ， 采用气相沉积氧化硅厚膜作为保护层降低材料应力 ， 攻关溅镀厚铝技术替代电镀铜(镍钯金)技术 ， 通过铝替代铜作为重新布线层 ， 解决先进DRAM产品封装良率低、成本高、周期长等问题 。
5nm计算光刻国产化：研究内容包括计算光刻EDA软件 ， 提供高度智能化、自动化的EDA仿真软件 ， 含OPC和SMO两大核心技术 ， 同时将版图到掩膜版数据转换的全流程囊括其中 ， 增加工艺探索、建模、图形验证、图形校正、数据准备5大模块 。
定位下一代EDA的5nm工艺研发DTCO平台：主要内容包括：将光刻工艺研发和器件工艺研发流程整合的工艺研发流程 。 包括七大模块：1.性能评价模块 2.功耗评价模块 3.面积评估模块 4.制程成本评估模块 5.制程可行性评估模块 6.智能设计规则管理系统 7.DTCO协作请求与控制系统 。
5G高抑制n77频带带通滤波器：实现高抑制Hybrid 5G n77滤波器产品研发并产业化 ， 解决射频前端芯片“卡脖子”难题 。
国产化智能语音芯片研发：1.完全自研、自定义的DSP和AI加速器的指令和IP的研究设计；2.专用IP设计以及验证：完成AI加速器微架构设计 ， 指令集设计 ， 用RTL实现并验证 ， 主要包括：1）AI加速器微架构设计 ， 它可以较好的平衡各种算力需求和设计复杂度；2）针对人工智能算子 ， 设计出AI加速指令 。
存储器芯片生产自动测试设备研发：1.ATE行业最高集成度的核心仪表板；2.行业最高的系统配置能力；3.行业内最高生产并行测试能力 。
5G基站用新型高分子材料：1.彻底解决传统金属天线振子重量重 ， 介电损耗高 ， 组装效率低的问题；2.解决透波性能差、介电损耗高 ， 重量重 。 另外 ， 还包括耐候性能、线性膨胀系数等 。
超高解析度硅基OLED显示器件：开发基于虚拟现实应用的超高解析度硅基OLED微型显示器件 ， 主要立足硅基OLED微显器件瓶颈技术 ， 如硅基电路设计、晶圆电极制程 ， 以及前端芯片设计与OLED显示匹配融合、分辨率、亮度、功耗、接口及对比度等成套关键技术 ， 重点就虚拟现实应用的高分辨率核心技术展开技术攻关 ， 完成适用于虚拟现实应用的高分辨率硅基OLED微型显示器件技术验证 。


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