论文|新型存储器及硬件安全芯片领域！中科院微电子所两论文入选VLSI
集微网消息 ， 近日 ， 中科院微电子所刘明院士科研团队两篇研究论文入选2020年第40届超大规模集成电路研讨会（Symposium on VLSI） 。
在硬件安全芯片领域 ， 刘明院士/吕杭炳研究员团队展示了一种利用电荷俘获鳍式晶体管（CT-FinFET）器件短期阈值电压恢复特征的真随机数发生器（TRNG）芯片 。 研究人员创新地设计了一种时间-频率转换电路 ， 将CT-FinFET阈值电压的弛豫时间转变为高速真随机数据流 。
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据悉 ， 上述研究成果以题为“Robust True Random Number Generator Using Stochastic Short-Term Recovery of Charge Trapping FinFET for Advanced Hardware Security”的论文入选2020 VLSI Technology 。 微电子所杨建国副研究员和丁庆婷博士为共同第一作者 ， 吕杭炳研究员和刘明院士为通讯作者 。
在新型存储器方面 ， 刘明院士/吕杭炳研究员团队与复旦大学薛晓勇副教授合作首次提出了基于PMOS选择器的1T2R 结构RRAM单元 ， 并采用分层位线和三态单元存储技术 ， 使漏电流降低了90%以上 。 论文展示了28nm的1.5Mb RRAM测试芯片 ， 将嵌入式NVM 存储密度记录提高了40％ ， 达到14.8 Mb /mm2 。
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【论文|新型存储器及硬件安全芯片领域！中科院微电子所两论文入选VLSI】
上述研究成果以题为“A 28nm 1.5Mb Embedded 1T2R RRAM with 14.8 Mb/mm2 Using Sneaking Current Suppression and Compensation Techniques”的论文入选2020 VLSI Circuit 。 微电子所杨建国副研究员为第一作者 ， 吕杭炳研究员和复旦大学薛晓勇副教授为通讯作者 。
据了解 ， 刘明院士团队于2015年开始先后与国内主要代工厂中芯国际、华力微电子合作开发嵌入式RRAM的量产技术 。 而在RRAM高密度三维集成方面 ， 刘明院士团队还提出了可与3D NAND相媲美的垂直三维集成架构 ， 在国际上率先成功研制了4层（2015年 IEDM）与8层（2017年 IEDM）RRAM三维堆叠阵列 。
据悉 ， VLSI与ISSCC（国际固态电路会议）、IEDM（国际电子器件会议）并称微电子技术领域的“奥林匹克盛会” ， 是超大规模集成电路和半导体器件领域里最顶尖的国际会议之一 。
中科院微电子研究所官方消息显示 ， 今年VLSI收到了创纪录数量的投稿 ， 器件与工艺方向 ， 中科院微电子所作为大陆唯一论文入选单位；电路设计方向 ， 大陆也仅有两篇论文入选（另外一篇为浙江大学与德克萨斯大学奥斯汀分校合作论文） ， 这也是中科院微电子所电路工作的首次入选 。 （校对/小北）
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