江苏龙网

  1. 首页 > 资讯 > 科技 > >

技术|重大突破：第一台28nm国产光刻机有望两年内交付


5月15日 ， 美国商务部针对华为修改了直接产品出口规则 ， 全面限制华为的全球芯片供应链 ， 并宣布将严格控制华为使用美国的技术、软件设计和制造半导体芯片 。 这意味着美国将进一步对华为实施出口管控和技术封锁 。 自此之后 ， “无芯可用”的难题成为了整个国产科技行业的焦点 。 目前 ， 国内芯片公司都在想办法突破原有的制造技术 ， 攻克芯片制造难关 。
近日 ， 我国在制造芯片技术方面实现重大突破 ， 国产光刻机即将迎来曙光 。 上海微电子装备（集团）股份有限公司公司披露 ， 有望在2021-2022年内交付第一台28nm工艺的国产沉浸式光刻机 。 而在此之前 ， 我国的光刻工艺始终停留在90nm ， 在高端芯片制造领域也一直依赖于台积电 。
虽然目前世界一些顶尖芯片制造厂的主流技术已经能够达到7nm甚至5nm工艺 ， 28nm工艺与国际顶尖技术相比还有一定差距 ， 但经过此次突破 ， 差距已经大大缩小 ， 这标志着国产光刻机的飞跃式进步 。
技术|重大突破：第一台28nm国产光刻机有望两年内交付
本文插图

据业内人士透露 ， 该国产光刻机SSA/800-10W将会在年底正式下线 ， 单次曝光可直接实现28nm制程 ， 而这台光刻机设备也将会成为我国最先进的光刻机设备 ， 上海微电子凭借此项制程工艺也将会直接赶超日本佳能、尼康厂商 ， 成为继荷兰ASML后 ， 全球第二先进的光刻机厂商巨头 。
此外 ， 这台上海微电子SSA/800-10W光刻机设备将会采用ArF光源 ， 套刻精度在1.9nm左右 ， 在多次曝光下能够实现11nm制程工艺的芯片生产 。 如果改用套刻精度更优的华卓精科工作台（1.7nm） ， 在多重曝光下更是能够实现7nm制程工艺的芯片生产 。 并且我国还在研发更加高端的EUV 高端光刻机 ， 而最核心的EUV光源曝光机将会由长春机电研发 ， 一旦取得技术突破 ， 并实现量产 ， 这意味着我国芯片制造工艺将会更上一层楼 。
据市场研究表明 ， 目前上海微电子是国内技术最领先的光刻设备厂商 ， 国内市场占有率高达80% ， 全球市场占有率达到40% 。 在美国对华为进行“全方面打压”的背景下 ， 此次国产光刻机的重大技术突破不仅能够解决芯片代工被限制的问题 ， 打破国外厂商的对于IC前端光刻机市场的垄断 ， 而且能够覆盖更为广阔的市场需求 ， 在国产替代趋势之下 ， 大幅提升国产光刻机的出货量、营收和利润率 。
【技术|重大突破：第一台28nm国产光刻机有望两年内交付】未来 ， 上海微电子将会全力支持华为和其他国产企业 ， 助力中国半导体不断取得突破 ， 这样的发展趋势也让华为以及更多的中国科技企业充满了信心 。


    推荐阅读


    上一篇：高通|逐步关闭3G-EVDO数据业务，高通始料未及，华为或迎来新希望

    下一篇：IT小灵通|社交媒体五大品牌，社交媒体哪个品牌好