碳基半导体我国碳基半导体制备材料研制获重要突破
由中科院院士、北京大学教授彭练矛和张志勇教授带领团队经过多年的科研探索 ， 在碳基半导体制备材料的研究领域取得了突破性进展 。 该科研成果近日发表在国际权威学术期刊《科学》上 。 
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彭练矛和张志勇教授带领科研团队 ， 通过多次提纯和维度限制自组装方法 ， 在四英寸基底上制备出密度高达120根/微米、半导体纯度超过99.9999%的碳纳米管平行阵列 ， 并在此基础上首次实现了性能超越同等栅长硅基CMOS的晶体管和电路 ， 成功突破了长期以来阻碍碳纳米管电子学发展的瓶颈 ， 为推动碳基集成电路的实用化和工业化奠定了基础 。
【碳基半导体我国碳基半导体制备材料研制获重要突破】相比传统硅基技术 ， 碳基半导体具有成本更低、功耗更小、效率更高的优势 ， 因此也被视作是性能更好的半导体材料 。 随着我国碳基半导体制备材料技术的突破 ， 未来 ， 我国在半导体材料、芯片、集成电路领域有望具有更强的国际竞争力 。
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