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悠家娱乐|中国打破美日韩闪存芯片定价权，攻克最先进128层闪存，3年攻关

2020年4月13日 ， 紫光集团下属长江存储科技有限责任公司宣布其128层QLC3DNAND闪存（型号：X2-6070）研发成功 ， 并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证 ， 领先了三星等企业 。
此次同时发布的还有128层512GbTLC（3bit/cell）规格闪存芯片（型号：X2-9060） ， 单颗容量512Gb（64GB） ， 以满足不同应用场景的需求 。
【悠家娱乐|中国打破美日韩闪存芯片定价权，攻克最先进128层闪存，3年攻关】紫光集团最早起步于1988年 。 当年 ， 清华大学成立清华大学科技开发总公司 ， 这是清华大学为加速科技成果产业化成立的全校第一家综合性校办企业 ， 也是紫光集团前身 。。
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作为国内最大的综合性集成电路企业 ， 紫光集团的芯片业务主要包括三大领域 ， 一是以长江存储为主的闪存芯片 ， 二是以紫光展锐为主的手机芯片 ， 三是安全芯片 。 其中 ， 在存储芯片方面 ， 从2016年开始 ， 紫光集团相继在武汉、南京、成都开工建设总投资额近1000亿美元的存储芯片与存储器制造工厂 。
存储器的种类很多 ， 按其用途可分为主存储器和辅助存储器 ， 主存储器又称内存储器（简称内存 ， 港台称之为记忆体） 。 外储存器是指除计算机内存及CPU缓存以外的储存器 ， 此类储存器一般断电后仍然能保存数据 。 常见的外存储器有硬盘、软盘、光盘、U盘等 。
而简单来说 ， DRAM就是我们一般在用的内存 ， 而NANDFlash闪存 ， 它在做的事情其实是硬盘 。 Flash（闪存）由于具备了重量轻、体积小、功率低等优点 ， 被应用在各类电子产品的硬盘上 。 Flash又可以分成NOR型Flash和NAND型Flash 。
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NORFlash比NANDFlash更早导入市场 。 读取的速度较快 ， 但写入的速度慢、价格也比NANDFlash贵 。
目前用来储存操作系统的程序代码或重要数据 ， 比如拿来做ROM 。 像是生产NORFlash的台厂旺宏就是因为打入任天堂Switch主机的ROM供应链 ， 今年营收上看攀升 。
NANDFlash写入的速度快、价格较低 ， 故目前以NANDFlash最为普遍 。 现在的USB硬盘和手机储存空间 ， 就是用NANDFlash为主流技术 。
在NANDflash（闪存）上则三星、东芝、美光、海力士、英特尔五家垄断 。 总结来说 ， 日韩美三国垄断了存储芯片市场 。 可以说 ， 日韩美三国垄断了整个存储芯片市场 ， 掌握了定价权 ， 将存储芯片卖出了天价！
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在2016年前 ， 中国在存储芯片市场为0 ， 所以极易被国外卡脖子 ， 而是非常被动 ， 这个时候 ， 紫光集团成立了长江存储 ， 来攻克存储芯片市场 。
长江存储借助全资子公司武汉新芯超过10年的12英寸先进集成电路技术研发与生产制造经验基础 ， 采取自主研发与国际合作双轮驱动模式 ， 已于2017年研制成功了中国的第一颗3DNAND闪存芯片 。
2018年8月7日 ， 长江存储发布了其突破性技术——Xtacking? ， 该技术将为3DNAND闪存带来更高的存储密度以及更短的产品上市周期 。
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Xtacking?一个新的架构 ， 通过Xtacking? ， 周边控制电路设计可以随意选择逻辑电路的先进工艺 。 采用Xtacking? ， 可在一片晶圆上独立加工负责数据输入输出及记忆单元操作的外围电路 。 这样的逻辑电路加工工艺 ， 可以让NAND获取所期望的高I/O接口速度和功能 。
在传统3DNAND架构中 ， 外围电路约占芯片面积的20~30% ， 降低了芯片的存储密度 。 随着3DNAND技术堆叠到128层甚至更高 ， 外围电路可能会占到芯片整体面积的50%以上 。 通过Xtacking?技术将外围电路置于存储单元之上 ， 从而实现比传统3DNAND更高的存储密度 。


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