【财经无忌|合肥长鑫是如何在铜墙铁壁上钻出洞来的？】
动态随机存取存储器（DRAM）是一种半导体存储器 ， 用于计算机处理器中以实现最佳功能 。 随着云计算的应用场景越来越多 ， 市场对于DRAM的需求正在扩大 。
这个市场 ， 向来不是中国企业的舞台 ， 很长的一段时间里 ， 三星电子 ， SK海力士和美光科技（MU）三家公司占据着95％的市场份额 ， 它们称为“DRAMTrio”或“D3” 。 它们既是高墙 ， 也是铁板 。
如今 ， 一丝丝裂缝出现了 。
5月14日 ， 合肥长鑫推出了自己的DRAM芯片产品 ， 这被视作中国企业在此领域实现了从0到1的突破 。
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DRAM芯片退潮记中国曾经在DRAM领域 ， 尝试过突破 。
1993年 ， “908工程”的主体项目——无锡华晶生产出国内第一块基于2.5um制程工艺的256KbDRAM 。
但这并不能令人满意 。 自1990年开始的“908工程” ， 此时已经投资了20多亿元 ， 但市场化的前景依然模糊 ， 一两块产品的突破 ， 显然不能满足期待 。
担心很快成为现实 ， 1997年 ， 无锡华晶总算建成投产 ， 但“建成即落后”的现实和随之而至的金融危机 ， 让它陷入发展瓶颈 。
1997年 ， 华晶投产时 ， 韩国的芯片技术 ， 尤其是DRAM技术 ， 已经大幅度领先美国及日本 ， 成为世界第一 ， 推出了0.18um制程工艺的1Gb容量的DRAM 。 但华晶的技术 ， 正是来自日本 。
1998年 ， 无锡华晶与上海华虹签署合作协议 ， 为“909工程”的主体项目上海华虹生产MOS圆片 ， 华晶芯片生产线开始承接上华公司来料加工业务 ， 开始执行100%代工的Foundry模式 。
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中国企业第一次主动放弃了在DRAM芯片的追赶与努力 ， 这也意味着 ， 相关技术开始步步落后 。 尤其是衡量DRAM芯片的两个重要指标制程工艺和容量 ， 更是再无追赶可能 。
上海华虹试图追赶 ， 并开始引入日系的DRAM芯片企业NEC 。 1999年9月 ， 华虹开始量产基于0.35um制程工艺8吋晶圆的64MDRAM芯片 ， 但同样的产品 ， 三星已经在1992年量产 。
2001年 ， NEC没能熬过互联网泡沫 ， 宣布退出DRAM市场 ， 并将半导体部门剥离出来 ， 另外合资成立了尔必达（Elpida） 。 华虹立刻陷入了困局 ， 不仅是工艺落后 ， 现在连技术源都失去了 ， 此后 ， 华虹开始转型 ， 并于2004年开始晶圆代工 ， 退出了DRAM产业 。
【【财经无忌|合肥长鑫是如何在铜墙铁壁上钻出洞来的？】】“市场换技术”并没有带动产业链的发展 ， 中国芯片企业 ， 再次尝到了苦果 。
同样是2004年 ， 上市后的中芯国际在北京投资建设了中国大陆第一座12吋晶圆厂（Fab4） ， 并于2006年大规模量产与奇梦达（QimondaAG）母公司英飞凌（InfineonTechnologies）提供的80nm制程工艺的DRAM芯片 ， 同时为奇梦达、尔必达代工生产DRAM芯片 ， 到2008年时 ， 中芯国际在DRAM制造领域 ， 已经获得了大陆30%的市场份额 ， 但是随着与台积电（TSMC）官司的加深 ， 中芯国际被迫放弃DRAM芯片业务 。
中国大陆的DRAM芯片从设计到制造 ， 全线衰落 。
2008年的金融危机 ， 导致了DRAM芯片行业发生了巨大变化 ， 奇梦达倒闭 ， 尔必达被镁光(Micron)收购 ， 全球DRAM产业 ， 进入到美韩垄断的三星（Samsung）、海力士（SkHynix）及镁光的“三巨头”时代 。
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2013年开始 ， 智能手机行业崛起 ， DRAM市场迅速扩大 ， 已经掌握了绝对定价权的美韩企业 ， 拉开了DRAM价格一路上涨的大潮 。 “工厂失火、仓库进水、供电不足”均成为涨价理由 。
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