全国民心愿：中国要在2030年实现EUV光刻机国产化
现如今 ， 光刻机代表着什么？光刻机是顶尖技术的代表 ， 是制造半导体芯片必不可少的超高精密设备 。 如果说航空发动机代表了人类科技领域发展的顶级水平 ， 那么光刻机则是半导体工业界最为耀眼的“掌上明珠” 。
光刻机在世界上有着如此之高的地位 ， 而中国现在的光刻机技术处于什么水平？与世界上最先进的光刻机技术又有着多大的差距？
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目前 ， 拥有世界上最先进的光刻机的公司是阿斯麦尔 ， 位于荷兰 。 此外 ， 只有这家公司可以生产EUV光刻机 。 而现在的EUV光源光刻机 ， ASML处于翘首 ， ASML占全球出货量的90%以上 ， 特别是中高端光刻机领域 ， ASML已经完全处于垄断的地位 。 EUV光源光刻机以波长为10-14纳米的极紫外光作为光源的光刻技术 ， 具体为采用波长为13.4nm的紫外线 。
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我国的光刻机技术仍然处于低端水平 。 目前国内唯一一家光刻机厂商是上海微电子装备 ， 在2002年成立的上海微电子有限公司 ， 就开始产于芯片的制造 ， 但是直到2016年的时候 ， 才能够生产出来90纳米的芯片 ， 而且这个技术一直都无法真正地进行突破到20纳米以下 。 目前世界上最先进的光刻机是ASML的EUV光刻机 ， 可用于5nm以下制程 ， 国产光刻机和最先进的光刻机 ， 这里面的差距不可谓不大 。 也有不少专家预测 ， 核心技术差距至少差距15年以上 。
【全国民心愿：中国要在2030年实现EUV光刻机国产化】在2019年4月 ， 光电团队武汉国家技术研究中心团队利用两束激光在自主研发的光刻胶上突破光束衍射极限 ， 利用远场光学成功雕刻出一条宽9nm的线段 ， 实现了从超分辨率成像到超扩散极限光刻的重大创新 。
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对此 ， 台积电表示2024年可能实现量产2nm ， 1nm目前未知 ， 而ASML的第二代EUV系统预期2024年问世 ， 2030年实现1.5nm光刻 。 这对于中国而言 ， 何尝不是一个机遇 ， 而相信很多国民的心愿：我们国家目前想要在2030年的时候实现EUV光刻机国产化 。
总的来说 ， 我国在光刻机制造领域与国际先进水平还是存在很大的差距 ， 高端光刻机全部依赖进口 。 而今年 ， 我国的中芯国际今年将会引进ASML最新的7nm制程的EUV光刻机 ， 一定程度上减小了与台积电、三星的差距 。 虽然我国的芯片未来之路很艰辛 ， 但要相信前途还是光明的 。
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