芯片@台积电不再独大,国产5nm技术夺先手,高通苹果也绕不开国内加工
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下一代5G芯片是麒麟1020、A14、高通骁龙875、以及三星的Exynos 1000 。 其中麒麟系列、苹果的A系列和高通的骁龙系列大多数由台积电代加工 , 而三星的Exynos 1000则由三星自己加工 。 不过可以确定的是 , 这四款5G旗舰芯片 , 均为5nm工艺设计 , 但是跟以往不同的是 , 不仅仅是在芯片设计上遇到瓶颈 , 更是在加工工艺上也遇到了瓶颈 。
为什么5nm工艺跟7nm工艺相比 , 相差多个技术跨度
这里先简单的科普一下:目前所说的7nm工艺或者14nm工艺 , 主要是栅极宽度 , 我们知道 , 晶体管是一种具有场效应的晶体 , 晶体管中 , 源极和漏极是由硅元素连接起来的 , 栅极上的0/1的开关控制着电流是否通过 。 但是当栅极的宽度变得低于一定程度的时候 , 栅极就不能起到“隔断/控制”的作用 , 源极和漏极就会互通 。 以往14nm以上的时候 , 芯片公司主要关注的是芯片工艺和硅晶组合 , 但是到了7nm以下 , 特别是5nm已经达到了“电场的极限” , 或者说是半导体工艺在目前物理学上的一个极限点 。 (PS:这里的解释不一定严禁 , 但是能够辅助不太了解的朋友 , 有个大致的概念)
目前解决以上问题只有两条路 , 第一条路就是突破物理极限 , 因为在前些年物理学的极限还是22nm , 当时也说的不能再低了 , 但是技术逐年还是在突破 。 第二条路就是寻找到另外的半导体 , 新型的合成半导体材料 , 用来代替目前的硅元素 。 但是为了满足目前手机市场或者其他市场的迫切需求 , 5nm芯片势在必行 。
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