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「天极网」台积电公布3nm晶体管密度达250MTR/mm2

随着5nm工艺进入规模量产阶段 ， 台积电也在第一季度的财报会议上首次披露3nm工艺节点的进展 。 按照台积电官方的说法 ， 第一代3nm工艺依然采用传统的鳍式场效应管(FinFET)技术 ， GAA技术要在第二代3nm工艺上应用 。 采用FinFET工艺是台积电经过评估多种选择后 ， 认为目前成本、能效的最佳选择 。
「天极网」台积电公布3nm晶体管密度达250MTR/mm2
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【「天极网」台积电公布3nm晶体管密度达250MTR/mm2】除了继续使用FinFET技术外 ， 台积电同时披露了3nm工艺的晶体管密度 ， 250MTr/mm2的密度可为前无古人 。 作为对比 ， 采用台积电7nmEUV工艺的麒麟9905G的芯片尺寸113.31mm2 ， 晶体管密度103亿 ， 平均晶体管密度符合此前公布的96.5MTr/mm2 ， 是第一代7nm工艺的3.6倍 。 与第一代7nm工艺相比 ， 台积电5nm性能提升15%、能耗提升30% ， 而3nm较5nm性能提升7%、能耗提升15% 。
此外 ， 台积电还表示 ， 3nm工艺研发并未受疫情影响 ， 进度符合预期 ， 预计2021年进入风险试产阶段 ， 2022年下半年量产 。 台积电对手三星则押宝3nm节点翻身 ， 所以进度及技术选择都很激进 。 三星3nm工艺将率先淘汰FinFET晶体管 ， 直接使用GAA环绕栅极晶体管 。 但三星已经宣布 ， 疫情已经影响到3nm工艺的开发 。
「天极网」台积电公布3nm晶体管密度达250MTR/mm2
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编辑点评：随着5nm工艺在2020年进入量产 ， 更先进的3nm也被提上日程 。 2022年量产前 ， 台积电方面应该还会推出4nm工艺来弥补产品线 ， 这个5nm工艺改良版应该会在2021年进入到大众视野 。


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