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『』武汉发布全球首款128层QLC存储芯片 单颗容量达1.33Tb

【『』武汉发布全球首款128层QLC存储芯片 单颗容量达1.33Tb】『』武汉发布全球首款128层QLC存储芯片 单颗容量达1.33Tb
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4月13日 ， 长江存储科技有限责任公司宣布其128层QLC 3D NAND闪存（型号：X2-6070）研发成功 ， 并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证 。作为业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存 ， 长江存储X2-6070拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度 ， 最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量 。此次同时发布的还有128层512Gb TLC（3 bit/cell）规格闪存芯片（型号：X2-9060） ， 以满足不同应用场景的需求 。
长江存储市场与销售高级副总裁龚翊表示：“作为闪存行业的新人 ， 长江存储用短短3年时间实现了从32层到64层再到128层的跨越 。这既是数千长存人汗水的凝聚 ， 也是全球产业链上下游通力协作的成果 。随着Xtacking 2.0时代的到来 ， 长江存储有决心 ， 有实力 ， 有能力开创一个崭新的商业生态 ， 让我们的合作伙伴可以充分发挥他们自身优势 ， 达到互利共赢 。”
长江存储通过对技术创新的持续投入 ， 已成功研发128层两款产品 ， 并确立了在存储行业的技术创新领导力 。凭借1.6Gb/s高速读写性能和1.33Tb高容量 ， 长江存储通过X2-6070再次向业界证明了Xtacking架构的前瞻性和成熟度 ， 为今后3D NAND行业发展探索出一条切实可行的路径 。龚翊强调：“我们相信 ， 长江存储128层系列产品将会为合作伙伴带来更大的价值 ， 具有广阔的市场应用前景 。其中 ， 128层QLC版本将率先应用于消费级SSD ， 并逐步进入企业级服务器、数据中心等领域 ， 以满足未来5G、AI时代多元化数据存储需求 。”
QLC是继TLC（3 bit/cell）后3D NAND新的技术形态 ， 具有大容量、高密度等特点 ， 适合于读取密集型应用 。每颗X2-6070 QLC闪存芯片拥有128层三维堆栈 ， 共有超过3,665亿个有效的电荷俘获型（Charge-Trap）存储单元 ， 每个存储单元可存储4字位（bit）的数据 ， 共提供1.33Tb的存储容量 。如果将记录数据的0或1比喻成数字世界的小“人” ， 一颗长江存储128层QLC芯片相当于提供3,665亿个房间 ， 每个房间住4“人” ， 共可容纳约14,660亿“人”居住 ， 是上一代64层单颗芯片容量的5.33倍 。


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