「超能网」小米GaN充电器Type( 三 )
本文插图
12V/2A低频纹波为124mV ， 高频纹波为128mV
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12V/3A低频纹波为42mV ， 高频纹波为42mV
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15V/1A低频纹波为122mV ， 高频纹波为120mV
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15V/2A低频纹波为120mV ， 高频纹波为118mV
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15V/3A低频纹波为40mV ， 高频纹波为40mV
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20V/1A低频纹波为114mV ， 高频纹波为112mV
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20V/2A低频纹波为96mV ， 高频纹波为92mV
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20V/3A低频纹波为42mV ， 高频纹波为40mV
本文插图
20V/3.25A低频纹波为46mV ， 高频纹波为44mV
按照相关的规范标准要求 ， 充电器在各个输出电压下的纹波要小于等于200mV ， 小米GaN充电器Type-C 65W在各种输出下的高频纹波与低频纹波都全部达标 。 不过从实际表现来看 ， 充电器在输出功率较高的情况下 ， 如15V/3A、20V/3A的情况下 ， 其纹波表现是比较好的 ， 低频纹波和高频纹波都可以维持在40mV到50mV之间 ， 但是在输出为半载或者低功率的情况下 ， 其低频和高频的输出纹波会达到100mV到120mV甚至是150mV到160mV的水平 。 从这点来看 ， 小米GaN充电器Type-C 65W更适合在高功率输出的环境下工作 ， 例如对笔记本电脑进行充电 ， 或者是小米10 Pro的50W疾速快充等 。
OCP过电流保护测试
OCP即过电流保护 ， 顾名思义就是充电器在输出电流过高时自动切断输出 ， 该项测试主要是验证充电器是否具备过电流保护功能 ， 同时测定充电器在各个电压下的过电流保护点对应的电流大小 。
经过我们测定 ， 小米GaN充电器Type-C 65W在各个输出电压下都具备OCP功能 ， 其中5V/9V/12V/15V对应的过流保护点均为3.31A ， 相当于预留了10%的功率冗余；20V输出对应的过流保护点为3.65A ， 相当于预留了12%的功率冗余 。
表面温度测试
我们使用FLIR ONE PRO热成像仪对小米GaN充电器Type-C 65W进行了温度测量 ， 测量时环境温度为23℃ ， 充电器以20V/3.25A的规格持续输出30分钟 。
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小米GaN充电器Type-C 65W在满载输出30分钟后 ， 其4个侧面都测出了超过60℃的温度 ， 最高为63.1℃ ， 整体摸上去还是颇为烫手的 ， 这与“口红棒”型充电器散热面积较小有一定的关系 ， 但对于用户的使用体验来说并不会产生很大的影响 ， 小体积带来的便携性还是比温度表现更为重要 。
总结：GaN元件65W PD快充中的高性价比之选
目前由于我们的充电器评分机制仍然处于制定与验证阶段 ， 因此这次的小米GaN充电器Type-C 65W评测暂时公开具体的超能指数 ， 待评分细则完善后再行发布 。
从整体表现来看 ， 小米GaN充电器Type-C 65W确实做得不错 ， 体积小而且简洁造型 ， GaN功率元件所带来的基础电气性能让人满意 ， 各项输出电压达标的同时能有最高接近92%的转换效率 ， 不仅支持小米10 Pro的50W疾速快充 ， 对其它PD 2.0/3.0协议设备也有不错的支持 ， 温度也控制在合理范围内 ， 还标配支持5A电流的C-C线材 ， 以149元的官方定价来看 ， 确实有比较高的性价比 。
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