「科技有点牛」比官方网宣传策划还猛！台积电5nm相对密度令人震惊
一般来说 ， 官方宣传数据都是最理想的状态 ， 有时候还会掺杂一些水分 ， 但是你见过实测比官方数字更漂亮的吗？
【「科技有点牛」比官方网宣传策划还猛！台积电5nm相对密度令人震惊】台积电已在本月开始5nm工艺的试产 ， 第二季度内投入规模量产 ， 苹果A14、华为麒麟1020、AMDZen4等处理器都会使用它 ， 而且消息称初期产能已经被客户完全包圆 ， 尤其是苹果占了最大头 。
台积电尚未公布5nm工艺的具体指标 ， 只知道会大规模集成EUV极紫外光刻技术 ， 不过在一篇论文中披露了一张晶体管结构侧视图 。
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WikiChips经过分析后估计 ， 台积电5nm的栅极间距为48nm ， 金属间距则是30nm ， 鳍片间距25-26nm ， 单元高度约为180nm ， 照此计算 ， 台积电5nm的晶体管密度将是每平方毫米1.713亿个 。
相比于初代7nm的每平方毫米9120万个 ， 这一数字增加了足足88％ ， 而台积电官方宣传的数字是84％ 。
虽然这些年摩尔定律渐渐失效 ， 虽然台积电的工艺经常面临质疑 ， 但不得不佩服台积电的推进速度 ， 要知道16nm工艺量产也只是不到5年前的事情 ， 那时候的晶体管密度才不过每平方毫米2888万个 ， 5nm已经是它的几乎六倍！
另外 ， 台积电10nm工艺的晶体管密度为每平方毫米5251万个 ， 5nm是它的近3.3倍 。
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