中国3纳米晶体管研发获突破在芯片前沿发起正面竞争( 二 )

2019-05-29

殷华湘说，他的团队还必须克服一些重大障碍。他们的研究成果本月部分发表在同行评议杂志《电气与电子工程师协会电子器件通讯》上。其中一个障碍是“波尔兹曼暴政” 。路德维希·波尔兹曼是19世纪的奥地利物理学家。 “波尔兹曼暴政”描述的是有关电子在一个空间中的分布问题。对芯片研发者来说，这意味着随着更多较小的晶体管安装到芯片上，晶体管所需电流产生的热量将烧毁芯片。

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报道称，物理学家已经为这个问题提供了解决办法。殷华湘说，他的团队使用一种称为“负电容”的方法，这样他们能用理论上所需最小电量的一半电量来为晶体管提供电力。这种晶体管实现商业应用可能要花几年时间。该团队正在进行材料和质量控制方面的工作。

殷华湘说：“这是我们工作中最激动人心的部分。这不仅是实验室中的又一项新发现。它有着实际应用的巨大潜力。而我们拥有专利。 ”

报道称，殷华湘说，这项突破将让中国“在芯片研发的前沿同世界头号角色进行正面竞争” 。他说：“在过去，我们看着其他人竞争。现在，我们在同其他人竞争。 ”

据报道，中国还在研发一种原子大小（0.5纳米）的晶体管，而其他国家已经加入将3纳米晶体管投入市场的竞赛。

韩国三星公司说，它计划到明年上半年完成3纳米晶体管的研发。三星说，同7纳米技术相比，用它的3纳米晶体管制造的处理器只需用一半的电力，性能却会提高35% 。三星没有说它预计这些芯片将于何时投产。

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